SIHD6N65ET5-GE3-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SIHD6N65ET5-GE3-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流能力， 导通电阻（RDS(on)）为550mΩ， 在栅源驱动电压范围-8V至+20V（VGS）内可靠运行。 得益于碳化硅材料的物理特性， 器件在高电压、高频率工作条件下表现出较低的开关与导通损耗， 适用于对效率、体积及热性能有严苛要求的电源转换系统。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-252-2L
Stock
19
货期
现货
SIHD6N65ET5-GE3-HXYParameters
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
SIHD6N65ET5-GE3-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流能力， 导通电阻（RDS(on)）为550mΩ， 在栅源驱动电压范围-8V至+20V（VGS）内可靠运行。 得益于碳化硅材料的物理特性， 器件在高电压、高频率工作条件下表现出较低的开关与导通损耗， 适用于对效率、体积及热性能有严苛要求的电源转换系统。
SIHD6N65ET5-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIHD6N65ET5-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。