SIHD6N65ET4-GE3-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SIHD6N65ET4-GE3-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）为550mΩ， 在栅源电压范围-8V至+20V（VGS）内稳定工作。 器件利用碳化硅材料特性， 适用于高效率、高频率的电源转换场景， 其低导通损耗与高耐压能力有助于提升系统整体性能， 适合对能效和热管理有较高要求的应用环境。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
SIHD6N65ET4-GE3-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
SIHD6N65ET4-GE3-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）为550mΩ， 在栅源电压范围-8V至+20V（VGS）内稳定工作。 器件利用碳化硅材料特性， 适用于高效率、高频率的电源转换场景， 其低导通损耗与高耐压能力有助于提升系统整体性能， 适合对能效和热管理有较高要求的应用环境。
SIHD6N65ET4-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIHD6N65ET4-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。