SIHD6N65ET1-GE3-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）为550mΩ， 适用于高电压、中等电流的功率开关场景。 其栅源电压范围（VGS）为-8V至+20V， 支持宽幅驱动信号， 有助于提升系统可靠性与抗干扰能力。 碳化硅材料带来的低开关损耗与高热稳定性， 使其适合用于高频电源、光伏逆变器、储能系统及对效率和体积有较高要求的电力电子装置中。