SIHD6N65E-GE3-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V， 连续漏极电流（ID）达10.2A， 导通电阻（RDS(on)）为550mΩ， 在高频或高温环境下仍能保持稳定性能。 栅源驱动电压范围（VGS）为-8V至+20V， 具备良好的驱动兼容性与抗误触发能力。 得益于碳化硅材料的特性， 器件在开关速度和热管理方面表现优异， 适用于高效率、高功率密度的电源转换、可再生能源系统及各类电力电子设备中。