SIHD5N50D-E3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。 器件适用于中高电压开关场景， 其N沟道结构支持高效控制与较低的驱动损耗， 在电源转换、电机驱动及各类电子负载开关等应用中可实现稳定可靠的性能表现。 参数特性使其在兼顾耐压能力的同时， 满足对导通效率有一定要求的电路设计需求。