SIHD14N60E-GE3
IC
DPAK(TO-252)
可供量大可议
SIHD14N60E-GE3
特性：N沟道MOSFET。 低品质因数 (FOM) Rₒₙ × Qg。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (Qg)。 雪崩能量额定 (UIS)。 应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
品牌
VISHAY
封装
DPAK(TO-252)
库存
5
货期
现货
SIHD14N60E-GE3参数
| 封装 | DPAK(TO-252) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SIHD14N60E-GE3概述
特性：N沟道MOSFET。 低品质因数 (FOM) Rₒₙ × Qg。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (Qg)。 雪崩能量额定 (UIS)。 应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
SIHD14N60E-GE3特性
暂无产品特性。
SIHD14N60E-GE3应用领域
暂无应用领域。