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SIHD11N80AE-T1-GE3
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DPAK

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SIHD11N80AE-T1-GE3

1个N沟道 耐压:800V 电流:8A

品牌

VISHAY

封装

DPAK

库存

10

货期

现货

产品参数概述特性应用领域

SIHD11N80AE-T1-GE3参数

封装DPAK
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

SIHD11N80AE-T1-GE3概述

1个N沟道 耐压:800V 电流:8A

SIHD11N80AE-T1-GE3特性

暂无产品特性。

SIHD11N80AE-T1-GE3应用领域

暂无应用领域。

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