SIHB6N80AE-GE3
IC
D2PAK(TO-263)
可供量大可议
SIHB6N80AE-GE3
N沟道功率MOSFET， 具有低品质因数、低有效电容、超低栅极电荷、雪崩能量额定值和集成齐纳二极管ESD保护， 可降低开关和传导损耗
品牌
VISHAY
封装
D2PAK(TO-263)
库存
20
货期
现货
SIHB6N80AE-GE3参数
| 封装 | D2PAK(TO-263) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
SIHB6N80AE-GE3概述
N沟道功率MOSFET， 具有低品质因数、低有效电容、超低栅极电荷、雪崩能量额定值和集成齐纳二极管ESD保护， 可降低开关和传导损耗
SIHB6N80AE-GE3特性
暂无产品特性。
SIHB6N80AE-GE3应用领域
暂无应用领域。