SIHB25N50E-GE3
IC
D2PAK(TO-263)
可供量大可议
SIHB25N50E-GE3
特性：低品质因数（FOM）：Ron × Qg。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 低栅极电荷 (Qg)。 雪崩能量额定 (UIS)。 应用：硬开关拓扑。 功率因数校正电源 (PFC)
品牌
VISHAY
封装
D2PAK(TO-263)
库存
248
货期
现货
SIHB25N50E-GE3参数
| 封装 | D2PAK(TO-263) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 248 |
SIHB25N50E-GE3概述
特性：低品质因数（FOM）：Ron × Qg。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 低栅极电荷 (Qg)。 雪崩能量额定 (UIS)。 应用：硬开关拓扑。 功率因数校正电源 (PFC)
SIHB25N50E-GE3特性
暂无产品特性。
SIHB25N50E-GE3应用领域
暂无应用领域。