SIHB21N80AE-GE3
IC
D2PAK(TO-263)
可供量大可议
SIHB21N80AE-GE3
特性：低品质因数 (FOM) R(on)×Q(g)。 低有效电容 (C(o(er)))。 RoHS 合规。 无卤。 降低开关和传导损耗。 雪崩能量额定 (UIS)。 应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
品牌
VISHAY
封装
D2PAK(TO-263)
库存
5
货期
现货
SIHB21N80AE-GE3参数
| 封装 | D2PAK(TO-263) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SIHB21N80AE-GE3概述
特性：低品质因数 (FOM) R(on)×Q(g)。 低有效电容 (C(o(er)))。 RoHS 合规。 无卤。 降低开关和传导损耗。 雪崩能量额定 (UIS)。 应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
SIHB21N80AE-GE3特性
暂无产品特性。
SIHB21N80AE-GE3应用领域
暂无应用领域。