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SIHB17N80AE-GE3
IC

D2PAK(TO-263)

可供量大可议

SIHB17N80AE-GE3

N沟道 MOSFET, 电流:10A, 耐压:800V

品牌

VISHAY

封装

D2PAK(TO-263)

库存

10

货期

现货

SIHB17N80AE-GE3参数

封装D2PAK(TO-263)
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

SIHB17N80AE-GE3概述

N沟道 MOSFET, 电流:10A, 耐压:800V

SIHB17N80AE-GE3特性

暂无产品特性。

SIHB17N80AE-GE3应用领域

暂无应用领域。

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