SIHB065N60E-GE3
IC
D2PAK(TO-263)
可供量大可议
SIHB065N60E-GE3
特性：第四代E系列技术。 低品质因数（FOM） R(on) × Q(g)。 低有效电容 (C(O(er)))。 降低开关和传导损耗。 雪崩能量额定（UIS）。 应用：服务器和电信电源。 开关模式电源（SMPS）
品牌
VISHAY
封装
D2PAK(TO-263)
库存
1
货期
现货
SIHB065N60E-GE3参数
| 封装 | D2PAK(TO-263) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SIHB065N60E-GE3概述
特性：第四代E系列技术。 低品质因数（FOM） R(on) × Q(g)。 低有效电容 (C(O(er)))。 降低开关和传导损耗。 雪崩能量额定（UIS）。 应用：服务器和电信电源。 开关模式电源（SMPS）
SIHB065N60E-GE3特性
暂无产品特性。
SIHB065N60E-GE3应用领域
暂无应用领域。