SIHA15N50E-GE3-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
SIHA15N50E-GE3-HXY
该N沟道场效应管具备500V漏源击穿电压与20A连续漏极电流, 导通电阻典型值为260mΩ, 栅源耐压可达30V。 其高耐压特性适用于高压开关电源及逆变器拓扑, 低导通损耗有助于提升电能转换效率。 器件在电机驱动、照明镇流器及储能变流系统中表现稳定, 能够承受高频开关应力, 满足严苛的电气性能需求, 是构建高效功率级电路的关键组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
24
货期
现货
SIHA15N50E-GE3-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
SIHA15N50E-GE3-HXY概述
该N沟道场效应管具备500V漏源击穿电压与20A连续漏极电流, 导通电阻典型值为260mΩ, 栅源耐压可达30V。 其高耐压特性适用于高压开关电源及逆变器拓扑, 低导通损耗有助于提升电能转换效率。 器件在电机驱动、照明镇流器及储能变流系统中表现稳定, 能够承受高频开关应力, 满足严苛的电气性能需求, 是构建高效功率级电路的关键组件。
SIHA15N50E-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIHA15N50E-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
