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SIHA15N50E-GE3-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

SIHA15N50E-GE3-HXY

该N沟道场效应管具备500V漏源击穿电压与20A连续漏极电流, 导通电阻典型值为260mΩ, 栅源耐压可达30V。 其高耐压特性适用于高压开关电源及逆变器拓扑, 低导通损耗有助于提升电能转换效率。 器件在电机驱动、照明镇流器及储能变流系统中表现稳定, 能够承受高频开关应力, 满足严苛的电气性能需求, 是构建高效功率级电路的关键组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

24

货期

现货

SIHA15N50E-GE3-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存24

SIHA15N50E-GE3-HXY概述

该N沟道场效应管具备500V漏源击穿电压与20A连续漏极电流, 导通电阻典型值为260mΩ, 栅源耐压可达30V。 其高耐压特性适用于高压开关电源及逆变器拓扑, 低导通损耗有助于提升电能转换效率。 器件在电机驱动、照明镇流器及储能变流系统中表现稳定, 能够承受高频开关应力, 满足严苛的电气性能需求, 是构建高效功率级电路的关键组件。

SIHA15N50E-GE3-HXY特性

暂无产品特性。

SIHA15N50E-GE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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