SIHA15N50E-E3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备500V漏源耐压与20A连续电流能力， 导通电阻为260mΩ， 栅源电压耐受值达30V。 其参数组合适用于高功率密度的开关电源、光伏逆变器及电机驱动装置。 器件在高压大电流切换过程中表现稳定， 能够有效降低导通损耗， 为各类电力电子系统提供可靠的功率控制核心， 满足复杂电路对能效与热管理的严苛要求。