SIHA12N60E-E3
IC
TO-220
可供量大可议
SIHA12N60E-E3
特性：低品质因数 (FOM) Ron × Qg。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (Qg)。 雪崩能量额定 (UIS)。 应用：开关模式电源 (SMPS)。 功率因数校正电源 (PFC)
品牌
VISHAY
封装
TO-220
库存
5
货期
现货
SIHA12N60E-E3参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SIHA12N60E-E3概述
特性：低品质因数 (FOM) Ron × Qg。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (Qg)。 雪崩能量额定 (UIS)。 应用：开关模式电源 (SMPS)。 功率因数校正电源 (PFC)
SIHA12N60E-E3特性
暂无产品特性。
SIHA12N60E-E3应用领域
暂无应用领域。