SIHA11N80AE-GE3
IC
TO-220
可供量大可议
SIHA11N80AE-GE3
特性：低品质因数 (FOM) Rₒₙ × Q₉。 低有效电容 (Cᵢₛₛ)， 符合RoHS标准。 降低开关和传导损耗， 无卤。 超低栅极电荷 (Q₉)。 雪崩能量额定 (UIS)。 集成齐纳二极管ESD保护。 应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
品牌
VISHAY
封装
TO-220
库存
38
货期
现货
SIHA11N80AE-GE3参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 38 |
SIHA11N80AE-GE3概述
特性：低品质因数 (FOM) Rₒₙ × Q₉。 低有效电容 (Cᵢₛₛ)， 符合RoHS标准。 降低开关和传导损耗， 无卤。 超低栅极电荷 (Q₉)。 雪崩能量额定 (UIS)。 集成齐纳二极管ESD保护。 应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
SIHA11N80AE-GE3特性
暂无产品特性。
SIHA11N80AE-GE3应用领域
暂无应用领域。