SIDR638DP-T1-GE3
IC
SO-8
可供量大可议
SIDR638DP-T1-GE3
特性：沟道式场效应晶体管 (TrenchFET) 第四代功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数 (FOM)。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了调优。 顶部散热功能为热传递提供了额外途径。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：同步整流。 DC/DC转换器
品牌
VISHAY
封装
SO-8
库存
10
货期
现货
SIDR638DP-T1-GE3参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SIDR638DP-T1-GE3概述
特性：沟道式场效应晶体管 (TrenchFET) 第四代功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数 (FOM)。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了调优。 顶部散热功能为热传递提供了额外途径。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：同步整流。 DC/DC转换器
SIDR638DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIDR638DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。