SIDR626EP-T1-RE3
IC
PowerPAKSO-8DC
可供量大可议
SIDR626EP-T1-RE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行调整。 100%进行Rg和UIS测试。 顶部散热功能提供了额外的热传递途径。 应用：同步整流。 初级侧开关
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8DC
库存
2,920
货期
现货
SIDR626EP-T1-RE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8DC |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W； 150W |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:50.8A 227A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2920 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.74mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 5.13nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 1.19nF |
| 商品型号 | SIDR626EP-T1-RE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00058 |
SIDR626EP-T1-RE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行调整。 100%进行Rg和UIS测试。 顶部散热功能提供了额外的热传递途径。 应用：同步整流。 初级侧开关
SIDR626EP-T1-RE3特性
- 第四代沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
- 极低的导通电阻-栅极电荷品质因数(FOM)
- 针对最低的导通电阻-输出电容品质因数进行调谐
- 经过100%反向恢复和非钳位感性开关测试
- 顶部散热特性为热传递提供额外途径
SIDR626EP-T1-RE3应用领域
- 同步整流
- 原边开关
- DC/DC转换器
- 太阳能微型逆变器
- 电机驱动开关
- 电池和负载开关
- 工业应用