SIDR5102EP-T1-RE3
IC
SO-8DC
可供量大可议
SIDR5102EP-T1-RE3
特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS标准， 无卤。 应用：同步整流。 初级侧开关
品牌
VISHAY
封装
SO-8DC
库存
36
货期
现货
SIDR5102EP-T1-RE3参数
| 封装 | SO-8DC |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 36 |
SIDR5102EP-T1-RE3概述
特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS标准， 无卤。 应用：同步整流。 初级侧开关
SIDR5102EP-T1-RE3特性
暂无产品特性。
SIDR5102EP-T1-RE3应用领域
暂无应用领域。