SIDR392DP-T1-GE3
IC
PowerPAK-SO-8DC
可供量大可议
SIDR392DP-T1-GE3
特性：沟道式场效应晶体管第四代功率MOSFET。 顶部散热功能提供了额外的热传递途径。 优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率， 降低与开关相关的功率损耗。 100%进行Pg和UIS测试。 应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK-SO-8DC
库存
99
货期
现货
SIDR392DP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK-SO-8DC |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
SIDR392DP-T1-GE3概述
特性：沟道式场效应晶体管第四代功率MOSFET。 顶部散热功能提供了额外的热传递途径。 优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率， 降低与开关相关的功率损耗。 100%进行Pg和UIS测试。 应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
SIDR392DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIDR392DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。