SICR10650-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
SICR10650-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向压降(VF)低至1.38V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料特性, 具有优异的高频开关能力和高温工作稳定性, 适用于高密度电源转换设计。 广泛用于高效开关电源、可再生能源逆变系统及高功率密度DC-DC转换器中, 满足对热性能和电气性能要求严苛的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
SICR10650-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
SICR10650-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向压降(VF)低至1.38V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料特性, 具有优异的高频开关能力和高温工作稳定性, 适用于高密度电源转换设计。 广泛用于高效开关电源、可再生能源逆变系统及高功率密度DC-DC转换器中, 满足对热性能和电气性能要求严苛的应用场景。
SICR10650-HXY特性
暂无产品特性。
SICR10650-HXY应用领域
暂无应用领域。
