SICF0860P-BP-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
SICF0860P-BP-HXY
该碳化硅二极管为独立式器件, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.4V。 基于碳化硅材料, 该二极管具有优异的高温稳定性与抗辐射能力, 反向漏电流低, 开关速度快, 反向恢复时间极短。 其特性适用于高效率、高频率的电力转换场景, 如高性能电源模块、可再生能源逆变系统、服务器电源单元以及高密度DC-DC变换器。 器件能有效降低开关损耗, 提升系统功率密度与整体能效, 满足严苛的电力电子设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
4
货期
现货
SICF0860P-BP-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 4 |
SICF0860P-BP-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式器件, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.4V。 基于碳化硅材料, 该二极管具有优异的高温稳定性与抗辐射能力, 反向漏电流低, 开关速度快, 反向恢复时间极短。 其特性适用于高效率、高频率的电力转换场景, 如高性能电源模块、可再生能源逆变系统、服务器电源单元以及高密度DC-DC变换器。 器件能有效降低开关损耗, 提升系统功率密度与整体能效, 满足严苛的电力电子设计需求。
SICF0860P-BP-HXY特性
暂无产品特性。
SICF0860P-BP-HXY应用领域
暂无应用领域。
