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SICF0860P-BP-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

SICF0860P-BP-HXY

该碳化硅二极管为独立式器件, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.4V。 基于碳化硅材料, 该二极管具有优异的高温稳定性与抗辐射能力, 反向漏电流低, 开关速度快, 反向恢复时间极短。 其特性适用于高效率、高频率的电力转换场景, 如高性能电源模块、可再生能源逆变系统、服务器电源单元以及高密度DC-DC变换器。 器件能有效降低开关损耗, 提升系统功率密度与整体能效, 满足严苛的电力电子设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

4

货期

现货

SICF0860P-BP-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存4

SICF0860P-BP-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式器件, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.4V。 基于碳化硅材料, 该二极管具有优异的高温稳定性与抗辐射能力, 反向漏电流低, 开关速度快, 反向恢复时间极短。 其特性适用于高效率、高频率的电力转换场景, 如高性能电源模块、可再生能源逆变系统、服务器电源单元以及高密度DC-DC变换器。 器件能有效降低开关损耗, 提升系统功率密度与整体能效, 满足严苛的电力电子设计需求。

SICF0860P-BP-HXY特性

暂无产品特性。

SICF0860P-BP-HXY应用领域

暂无应用领域。

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