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SICB0860P-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

SICB0860P-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。 其正向导通压降(VF)低至1.42V, 有助于减少导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料的特性, 该器件支持更高的开关频率和工作温度, 适用于对效率和空间布局有严格要求的电源转换场合, 如高效开关电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器, 能够满足复杂工况下的可靠性需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

24

货期

现货

SICB0860P-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

SICB0860P-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。 其正向导通压降(VF)低至1.42V, 有助于减少导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料的特性, 该器件支持更高的开关频率和工作温度, 适用于对效率和空间布局有严格要求的电源转换场合, 如高效开关电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器, 能够满足复杂工况下的可靠性需求。

SICB0860P-HXY特性

暂无产品特性。

SICB0860P-HXY应用领域

暂无应用领域。

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