SIC660ACD-T1-GE3
IC
PowerPAKMLP55-31L
可供量大可议
SIC660ACD-T1-GE3
SiC660是一款高频集成功率级器件， 针对同步降压应用进行了优化， 可提供大电流、高效率和高功率密度性能， 且关断电流极低。 SiC660采用5mm x 5mm MLP封装， 使电压调节器设计能够每相提供高达60A的连续电流。 内部功率MOSFET采用了最新的TrenchFET技术， 具备行业标杆性能， 可显著降低开关损耗和传导损耗
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKMLP55-31L
库存
90
货期
现货
SIC660ACD-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAKMLP55-31L |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DC-DC电源芯片 |
|---|---|
| 库存 | 90 |
SIC660ACD-T1-GE3概述
SiC660是一款高频集成功率级器件， 针对同步降压应用进行了优化， 可提供大电流、高效率和高功率密度性能， 且关断电流极低。 SiC660采用5mm x 5mm MLP封装， 使电压调节器设计能够每相提供高达60A的连续电流。 内部功率MOSFET采用了最新的TrenchFET技术， 具备行业标杆性能， 可显著降低开关损耗和传导损耗
SIC660ACD-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIC660ACD-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。