SIC653ACD-T1-GE3
IC
MLP55-31L
可供量大可议
SIC653ACD-T1-GE3
场效应管(MOSFET) SIC653ACD-T1-GE3 QFN
品牌
VISHAY
封装
MLP55-31L
库存
2,938
货期
现货
SIC653ACD-T1-GE3参数
| 封装 | MLP55-31L |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 24+ |
| 类型 | MOSFET |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 开关频率 | 1.5MHz |
| 长度 | 5mm |
| 功能特性 | 过温保护带迟滞； 欠压锁定带迟滞； 短路保护； 带使能 |
| 分类 | 智能功率模块(IPM) |
|---|---|
| 库存 | 2,938 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 配置 | 半桥 |
| 高侧偏置电压(Vbs) | 4V~5.5V |
| 静态电流(Iq) | 3uA |
| 宽度 | 5mm |
SIC653ACD-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) SIC653ACD-T1-GE3 QFN
SIC653ACD-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIC653ACD-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。