SIC1060P-BP-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
SIC1060P-BP-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。 其正向导通压降(VF)低至1.38V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料特性, 支持更高的工作温度与开关频率, 适用于要求严苛的电力转换环境。 典型使用场景包括高效电源模块、可再生能源逆变装置及高可靠性储能系统的整流与续流环节, 是实现紧凑型高频设计的理想选择之一。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
9
货期
现货
SIC1060P-BP-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 9 |
SIC1060P-BP-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。 其正向导通压降(VF)低至1.38V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料特性, 支持更高的工作温度与开关频率, 适用于要求严苛的电力转换环境。 典型使用场景包括高效电源模块、可再生能源逆变装置及高可靠性储能系统的整流与续流环节, 是实现紧凑型高频设计的理想选择之一。
SIC1060P-BP-HXY特性
暂无产品特性。
SIC1060P-BP-HXY应用领域
暂无应用领域。
