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SIC1060P-BP-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

SIC1060P-BP-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。 其正向导通压降(VF)低至1.38V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料特性, 支持更高的工作温度与开关频率, 适用于要求严苛的电力转换环境。 典型使用场景包括高效电源模块、可再生能源逆变装置及高可靠性储能系统的整流与续流环节, 是实现紧凑型高频设计的理想选择之一。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

9

货期

现货

SIC1060P-BP-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存9

SIC1060P-BP-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。 其正向导通压降(VF)低至1.38V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 器件利用碳化硅材料特性, 支持更高的工作温度与开关频率, 适用于要求严苛的电力转换环境。 典型使用场景包括高效电源模块、可再生能源逆变装置及高可靠性储能系统的整流与续流环节, 是实现紧凑型高频设计的理想选择之一。

SIC1060P-BP-HXY特性

暂无产品特性。

SIC1060P-BP-HXY应用领域

暂无应用领域。

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