SIA906EDJ-T1-GE3
IC
WSON-6-EP(2x2)
可供量大可议
SIA906EDJ-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 7.8W 20V 4.5A 2个N沟道
品牌
VISHAY
封装
WSON-6-EP(2x2)
库存
17,932
货期
现货
SIA906EDJ-T1-GE3参数
| 封装 | WSON-6-EP(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 输入电容(Ciss) | 350pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 63pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17,932 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 7.8W |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
SIA906EDJ-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 7.8W 20V 4.5A 2个N沟道
SIA906EDJ-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIA906EDJ-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。