SIA517DJ-T1-GE3
IC
PowerPAK-SC-70-6-Dual
可供量大可议
SIA517DJ-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 6.5W 12V 4.5A 1个N沟道+1个P沟道
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK-SC-70-6-Dual
库存
130,394
货期
现货
SIA517DJ-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK-SC-70-6-Dual |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@1.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 590pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 130,394 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 耗散功率(Pd) | 6.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
SIA517DJ-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 6.5W 12V 4.5A 1个N沟道+1个P沟道
SIA517DJ-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIA517DJ-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。