SIA477EDJT-T1-GE3
自营可供
IC
PowerPAK-SC-70-6L
SIA477EDJT-T1-GE3
特性：沟槽式场效应晶体管第二代P沟道功率MOSFET。 热增强型PowerPAK SC-70封装。 小尺寸。 低导通电阻。 100%栅极电阻测试。 在栅源电压为-1.8V时的导通电阻额定值。 应用：智能手机、平板电脑、移动计算。 电池开关
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK-SC-70-6L
交期
现货
批次
—
SIA477EDJT-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK-SC-70-6L |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 740pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
| 商品型号 | SIA477EDJT-T1-GE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 4.2857e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 178 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 725pF |
| 商品名称 | P沟道， 12 V（D-S）MOSFET |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
SIA477EDJT-T1-GE3概述
特性：沟槽式场效应晶体管第二代P沟道功率MOSFET。 热增强型PowerPAK SC-70封装。 小尺寸。 低导通电阻。 100%栅极电阻测试。 在栅源电压为-1.8V时的导通电阻额定值。 应用：智能手机、平板电脑、移动计算。 电池开关
SIA477EDJT-T1-GE3特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 热增强型PowerPAK SC-70封装
- 占用面积小
- 低导通电阻
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 在栅源电压(VGS)为 -1.8 V时的漏源导通电阻(RDS(on))额定值
- 内置齐纳二极管静电放电(ESD)保护
- 典型静电放电(ESD)性能:3500 V
SIA477EDJT-T1-GE3应用领域
- 智能手机、平板电脑、移动计算设备
- 电池开关
- 充电器开关
- 负载开关