SIA477EDJ-T1-GE3-VB
IC
DFN2x2-6-EP
可供量大可议
SIA477EDJ-T1-GE3-VB
DFN6(2X2)； P—Channel沟道, -20V； -10A； RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=-0.4~-1.5V
品牌
VBsemi
封装
DFN2x2-6-EP
库存
10
货期
现货
SIA477EDJ-T1-GE3-VB参数
| 封装 | DFN2x2-6-EP |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SIA477EDJ-T1-GE3-VB概述
DFN6(2X2)； P—Channel沟道, -20V； -10A； RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=-0.4~-1.5V
SIA477EDJ-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SIA477EDJ-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。