SIA471DJ-T1-GE3
IC
PowerPAKSC-70-6
可供量大可议
SIA471DJ-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 热增强型PowerPAK SC-70封装。 RoHS认证。 极低的RDS(on) x面积， 可最大限度地减少在卤素限制PCB空间上的功率损耗。 为开关应用提供出色的RDS-Qg品质因数（FOM）。 100%进行Rg测试。 应用：电池充电和管理。 负载开关
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSC-70-6
库存
10,296
货期
现货
SIA471DJ-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAKSC-70-6 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10296 |
SIA471DJ-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 热增强型PowerPAK SC-70封装。 RoHS认证。 极低的RDS(on) x面积， 可最大限度地减少在卤素限制PCB空间上的功率损耗。 为开关应用提供出色的RDS-Qg品质因数（FOM）。 100%进行Rg测试。 应用：电池充电和管理。 负载开关
SIA471DJ-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIA471DJ-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。