SIA446DJ-T1-GE3
IC
PowerPAK-SC-70-6L
可供量大可议
SIA446DJ-T1-GE3
N沟道MOSFET， 采用ThunderFET技术， 优化导通电阻、栅极电荷、开关电荷和输出电荷平衡， 100%进行Rg和UIS测试， 符合RoHS标准且无卤
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK-SC-70-6L
库存
10
货期
现货
SIA446DJ-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK-SC-70-6L |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SIA446DJ-T1-GE3概述
N沟道MOSFET， 采用ThunderFET技术， 优化导通电阻、栅极电荷、开关电荷和输出电荷平衡， 100%进行Rg和UIS测试， 符合RoHS标准且无卤
SIA446DJ-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIA446DJ-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。