SIA4446DJ-T1-GE3
IC
PowerPAKSC-70-6L
可供量大可议
SIA4446DJ-T1-GE3
N沟道MOSFET， 采用热增强型PowerPAK SC-70封装， TrenchFET GenIV功率MOSFET， 针对最低Rps - Qoss品质因数进行优化
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSC-70-6L
库存
15
货期
现货
SIA4446DJ-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAKSC-70-6L |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
SIA4446DJ-T1-GE3概述
N沟道MOSFET， 采用热增强型PowerPAK SC-70封装， TrenchFET GenIV功率MOSFET， 针对最低Rps - Qoss品质因数进行优化
SIA4446DJ-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIA4446DJ-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。