SIA437DJ-T1-GE3
IC
PowerPAK-SC-70-6L
可供量大可议
SIA437DJ-T1-GE3
P沟道20V（D-S）MOSFET， 采用热增强型PowerPAk SC-70封装， 低导通电阻， 100% Rg测试
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK-SC-70-6L
库存
25
货期
现货
SIA437DJ-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK-SC-70-6L |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@8V |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
| 商品型号 | SIA437DJ-T1-GE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000192 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 输入电容(Ciss) | 2.34nF |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 305pF |
| 商品名称 | P沟道20V（D-S）MOSFET， 采用热增强型PowerPAk SC-70封装， 低导通电阻， 100% Rg测试 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
SIA437DJ-T1-GE3概述
P沟道20V（D-S）MOSFET， 采用热增强型PowerPAk SC-70封装， 低导通电阻， 100% Rg测试
SIA437DJ-T1-GE3特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
- 热增强型PowerPAK SC-70封装
- 占位面积小
- 低导通电阻
- 100%栅极电阻测试
SIA437DJ-T1-GE3应用领域
- 为智能手机、平板电脑、移动计算设备提供低压降
- 电池开关
- 负载开关
- 电源管理