SIA110DJ-T1-GE3
IC
PowerPAKSC-70-6
可供量大可议
SIA110DJ-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 针对最低的RDS-Qoss进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。 RoHS合规。 无卤。 应用：初级侧开关。 DC/DC转换器
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSC-70-6
库存
500
货期
现货
SIA110DJ-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAKSC-70-6 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | SIA110DJ-T1-GE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00011 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 500 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 550pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
| 商品名称 | 100V 12A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
SIA110DJ-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 针对最低的RDS-Qoss进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。 RoHS合规。 无卤。 应用：初级侧开关。 DC/DC转换器
SIA110DJ-T1-GE3特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 针对最低的导通电阻-输出电荷乘积进行优化
- 100%进行栅极电阻和非钳位感性开关测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
SIA110DJ-T1-GE3应用领域
- 初级侧开关-DC/DC转换器-电机驱动开关-升压转换器-LED背光