SI9933CDY-T1-GE3
IC
SO-8
可供量大可议
SI9933CDY-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 3.1W 20V 4A 2个P沟道
品牌
VISHAY
封装
SO-8
库存
11,187
货期
现货
SI9933CDY-T1-GE3参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 2个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 输入电容(Ciss) | 665pF |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11,187 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF |
| 类型 | P沟道 |
SI9933CDY-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 3.1W 20V 4A 2个P沟道
SI9933CDY-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI9933CDY-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。