SI9926CDY-T1-GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI9926CDY-T1-GE3-HXY
SI9926CDY-T1-GE3 型号MOS管采用创新N+N沟道工艺， 封装在节省空间的SOP-8封装形式中， 专为现代高集成度电子设备设计。 在20V额定电压VDSS下， 器件可稳定承载8A的连续漏极电流ID， 并配备超低的13mR导通电阻RD(on)， 实现高效率与低功耗运行。 广泛应用于电源转换、负载驱动等领域， 是优化系统性能和节能效果的理想半导体器件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
145
货期
现货
SI9926CDY-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 145 |
SI9926CDY-T1-GE3-HXY概述
SI9926CDY-T1-GE3 型号MOS管采用创新N+N沟道工艺， 封装在节省空间的SOP-8封装形式中， 专为现代高集成度电子设备设计。 在20V额定电压VDSS下， 器件可稳定承载8A的连续漏极电流ID， 并配备超低的13mR导通电阻RD(on)， 实现高效率与低功耗运行。 广泛应用于电源转换、负载驱动等领域， 是优化系统性能和节能效果的理想半导体器件。
SI9926CDY-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI9926CDY-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。