SI9529DY-T1-E3-VB
IC
SO-8
可供量大可议
SI9529DY-T1-E3-VB
SOP8； N+P—Channel沟道, ±30V； 8/-8A； RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=±1~±2V
Brand
VBsemi
Package
SO-8
Stock
20
货期
现货
SI9529DY-T1-E3-VBParameters
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
SI9529DY-T1-E3-VB概述
SOP8； N+P—Channel沟道, ±30V； 8/-8A； RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=±1~±2V
SI9529DY-T1-E3-VB特性
暂无产品特性。
SI9529DY-T1-E3-VB应用领域
暂无应用领域。