SI9410BDY-T1-E3-VB
IC
SO-8
可供量大可议
SI9410BDY-T1-E3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N型场效应管， 采用Trench工艺， 适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。 SOP8； N—Channel沟道, 30V； 13A； RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
50
货期
现货
SI9410BDY-T1-E3-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V； 6.8nC@5V |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:13A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V； 11mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 800pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
| 商品型号 | SI9410BDY-T1-E3-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00025 |
SI9410BDY-T1-E3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N型场效应管， 采用Trench工艺， 适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。 SOP8； N—Channel沟道, 30V； 13A； RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~3V
SI9410BDY-T1-E3-VB特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100% Rq测试
- 100% UIS测试
SI9410BDY-T1-E3-VB应用领域
- 笔记本电脑CPU核心-高端开关