SI8802DB-T2-E1
IC
XFBGA-4
可供量大可议
SI8802DB-T2-E1
特性：采用TrenchFET功率MOSFET技术。 外形面积小， 为0.8mm×0.8mm。 最大高度低， 为0.4mm。 导通电阻低。 应用：用于低压降负载开关。 用于1.2V、1.5V、1.8V电源线的负载开关
品牌
VISHAY
封装
XFBGA-4
库存
252
货期
现货
SI8802DB-T2-E1参数
| 封装 | XFBGA-4 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 252 |
SI8802DB-T2-E1概述
特性：采用TrenchFET功率MOSFET技术。 外形面积小， 为0.8mm×0.8mm。 最大高度低， 为0.4mm。 导通电阻低。 应用：用于低压降负载开关。 用于1.2V、1.5V、1.8V电源线的负载开关
SI8802DB-T2-E1特性
暂无产品特性。
SI8802DB-T2-E1应用领域
暂无应用领域。