SI8641ED-B-ISR-HXY
IC
SOW-16
可供量大可议
SI8641ED-B-ISR-HXY
该数字隔离器集成3个正向通道和1个反向通道, 支持高速双向通信架构。 工作电压范围为2.375V至5.5V, 兼容多种低电压数字系统。 最大数据速率达150Mbps, 可满足高速信号传输需求。 器件共模瞬态抗扰度(CMTI)高达150kV/µs, 具备出色的噪声抑制能力, 确保信号在复杂电磁环境下稳定传输。 各通道间具有高隔离耐压特性, 适用于需要电气隔离的通信接口、电源控制回路及多节点数据交互系统, 实现可靠的数据隔离与系统保护。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOW-16
库存
89
货期
现货
SI8641ED-B-ISR-HXY参数
| 封装 | SOW-16 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 数字隔离器 |
|---|---|
| 库存 | 89 |
SI8641ED-B-ISR-HXY概述
该数字隔离器集成3个正向通道和1个反向通道, 支持高速双向通信架构。 工作电压范围为2.375V至5.5V, 兼容多种低电压数字系统。 最大数据速率达150Mbps, 可满足高速信号传输需求。 器件共模瞬态抗扰度(CMTI)高达150kV/µs, 具备出色的噪声抑制能力, 确保信号在复杂电磁环境下稳定传输。 各通道间具有高隔离耐压特性, 适用于需要电气隔离的通信接口、电源控制回路及多节点数据交互系统, 实现可靠的数据隔离与系统保护。
SI8641ED-B-ISR-HXY特性
暂无产品特性。
SI8641ED-B-ISR-HXY应用领域
暂无应用领域。
