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SI8641ED-B-ISR-HXY
IC

SOW-16

可供量大可议

SI8641ED-B-ISR-HXY

该数字隔离器集成3个正向通道和1个反向通道, 支持高速双向通信架构。 工作电压范围为2.375V至5.5V, 兼容多种低电压数字系统。 最大数据速率达150Mbps, 可满足高速信号传输需求。 器件共模瞬态抗扰度(CMTI)高达150kV/µs, 具备出色的噪声抑制能力, 确保信号在复杂电磁环境下稳定传输。 各通道间具有高隔离耐压特性, 适用于需要电气隔离的通信接口、电源控制回路及多节点数据交互系统, 实现可靠的数据隔离与系统保护。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOW-16

库存

89

货期

现货

SI8641ED-B-ISR-HXY参数

封装SOW-16
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类数字隔离器
库存89

SI8641ED-B-ISR-HXY概述

该数字隔离器集成3个正向通道和1个反向通道, 支持高速双向通信架构。 工作电压范围为2.375V至5.5V, 兼容多种低电压数字系统。 最大数据速率达150Mbps, 可满足高速信号传输需求。 器件共模瞬态抗扰度(CMTI)高达150kV/µs, 具备出色的噪声抑制能力, 确保信号在复杂电磁环境下稳定传输。 各通道间具有高隔离耐压特性, 适用于需要电气隔离的通信接口、电源控制回路及多节点数据交互系统, 实现可靠的数据隔离与系统保护。

SI8641ED-B-ISR-HXY特性

暂无产品特性。

SI8641ED-B-ISR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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