SI8600AB-B-ISR-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SI8600AB-B-ISR-HXY
该隔离式I2C器件支持双向时钟和数据传输, 实现跨隔离层的完整I2C总线功能。 提供3000VRMS电气隔离电压, 有效阻断接地环路并增强系统安全性。 器件具备75kV/µs的共模瞬态抗扰度(CMTI), 可在高噪声环境中保持通信可靠性。 工作温度范围为-40℃至+125℃, 适应复杂热环境。 适用于多电压域系统、高精度测量设备、电源监控模块以及需要电气隔离的传感器接口等场景, 保障数据完整性与系统稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
27
货期
现货
SI8600AB-B-ISR-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 隔离式I2C |
|---|---|
| 库存 | 27 |
SI8600AB-B-ISR-HXY概述
该隔离式I2C器件支持双向时钟和数据传输, 实现跨隔离层的完整I2C总线功能。 提供3000VRMS电气隔离电压, 有效阻断接地环路并增强系统安全性。 器件具备75kV/µs的共模瞬态抗扰度(CMTI), 可在高噪声环境中保持通信可靠性。 工作温度范围为-40℃至+125℃, 适应复杂热环境。 适用于多电压域系统、高精度测量设备、电源监控模块以及需要电气隔离的传感器接口等场景, 保障数据完整性与系统稳定性。
SI8600AB-B-ISR-HXY特性
暂无产品特性。
SI8600AB-B-ISR-HXY应用领域
暂无应用领域。
