SI8499DB-T2-E1
IC
MicroFoot-7
可供量大可议
SI8499DB-T2-E1
特性：TrenchFET功率MOSFET。 超小尺寸， 最大外形为1.5mm×1mm。 超薄， 最大高度为0.59mm。 应用：便携式设备的低导通电阻负载开关、充电器开关和电池开关。 低功耗
品牌
VISHAY
封装
MicroFoot-7
库存
200
货期
现货
SI8499DB-T2-E1参数
| 封装 | MicroFoot-7 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
SI8499DB-T2-E1概述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 超小尺寸， 最大外形为1.5mm×1mm。 超薄， 最大高度为0.59mm。 应用：便携式设备的低导通电阻负载开关、充电器开关和电池开关。 低功耗
SI8499DB-T2-E1特性
暂无产品特性。
SI8499DB-T2-E1应用领域
暂无应用领域。