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SI8233BD-D-ISR
自营可供
IC

SOIC-16-300mil

SI8233BD-D-ISR

DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC

品牌

SILICON LABS

封装

SOIC-16-300mil

交期

现货

批次

25+

SI8233BD-D-ISR参数

封装SOIC-16-300mil
品牌SILICON LABS(芯科)
批次25+
正向通道数2
默认输出低电平
CMTI(kV/us)45kV/us
功能特性上电复位
工作电压(VCCB)6.5V~24V
分类数字隔离器
库存1,250
MOQ / SPQ1 / 1
反向通道数2
隔离电压(Vrms)5000
传播延迟(tpd)45ns
工作电压(VCCA)2.7V~5.5V
工作温度-40℃~+125℃

SI8233BD-D-ISR概述

DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC

SI8233BD-D-ISR特性

  • 采用 容性耦合隔离技术 替代传统光耦, 相比光耦具有以下优势
  • 无老化衰减:光耦的LED会随时间衰减导致延迟变化, 容性耦合依赖电场耦合, 性能长期稳定
  • 延迟匹配性好:tpLH与tpHL对称, 无需额外补偿电路, 简化系统设计
  • 抗干扰能力强:高共模抗扰度适配高EMI环境(如电机驱动、光伏逆变器), 降低系统故障风险。

SI8233BD-D-ISR应用领域

  • SI8233BD-D-ISR的性能适配多类功率电子系统, 典型应用包括
  • 工业变频驱动:伺服电机、风机水泵的变频调速
  • 新能源领域:光伏并网逆变器、电动汽车(EV)充电模块
  • 电力电源:不间断电源(UPS)、高压直流电源(HVDC)
  • 工业设备:电焊机、感应加热电源、电力监控设备。
  • 综上, SI8233BD-D-ISR凭借高隔离、快速响应、强抗扰与工业级可靠性, 成为功率半导体栅极驱动的高性价比选择, 可满足中高端电力电子设备的控制需求。

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