SI7884BDP-T1-GE3-JSM
IC
DFN5060-8L
可供量大可议
SI7884BDP-T1-GE3-JSM
采用先进的沟槽技术和设计， 在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)， 可应用于多种应用领域。
品牌
JSMSEMI
封装
DFN5060-8L
库存
4,384
货期
现货
SI7884BDP-T1-GE3-JSM参数
| 封装 | DFN5060-8L |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4384 |
SI7884BDP-T1-GE3-JSM概述
采用先进的沟槽技术和设计， 在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)， 可应用于多种应用领域。
SI7884BDP-T1-GE3-JSM特性
暂无产品特性。
SI7884BDP-T1-GE3-JSM应用领域
暂无应用领域。