SI7860DP-T1-GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）支持50A的连续漏极电流， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为6.5毫欧， 栅源电压额定值为20V。 其低导通电阻有助于减小导通状态下的功率损耗， 在高电流工作条件下维持较低温升。 适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统及各类需要高效能功率开关的电子设备中， 能够满足频繁开关和稳定导通的运行需求。