SI7860DP-T1-E3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为6.5毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 低导通电阻有助于降低导通损耗， 提升整体效率， 适用于高频率开关和大电流传输的场合。 器件在电源转换、电机控制及各类直流开关电路中可提供稳定的性能表现， 适合对能效与热管理有较高要求的应用环境。