SI7852DP-T1-GE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SI7852DP-T1-GE3
特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 新型低热阻。 低1.07mm外形的PowerPAK@封装。 PWM针对快速开关进行了优化。 100%进行Rg测试。 应用：DC/DC应用的初级侧开关
Brand
VISHAY
Package
PowerPAKSO-8
Stock
357
货期
现货
SI7852DP-T1-GE3Parameters
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 357 |
SI7852DP-T1-GE3概述
特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 新型低热阻。 低1.07mm外形的PowerPAK@封装。 PWM针对快速开关进行了优化。 100%进行Rg测试。 应用：DC/DC应用的初级侧开关
SI7852DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI7852DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。