SI7850DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN5x6-8L
可供量大可议
SI7850DP-T1-GE3-HXY
SI7850DP-T1-GE3 是一款采用先进DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOS管， 具有出色的60V漏源电压VDSS和高达30A的连续电流ID处理能力， 特别适用于高功率应用场合。 其导通电阻RD(on)仅为20mR， 显著提高了电路效率并降低了功耗。 这款MOS管广泛应用于开关电源、马达驱动、电池管理系统等领域， 是实现高效、节能设计的理想半导体器件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5x6-8L
库存
57
货期
现货
SI7850DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 57 |
SI7850DP-T1-GE3-HXY概述
SI7850DP-T1-GE3 是一款采用先进DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOS管， 具有出色的60V漏源电压VDSS和高达30A的连续电流ID处理能力， 特别适用于高功率应用场合。 其导通电阻RD(on)仅为20mR， 显著提高了电路效率并降低了功耗。 这款MOS管广泛应用于开关电源、马达驱动、电池管理系统等领域， 是实现高效、节能设计的理想半导体器件。
SI7850DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI7850DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。