SI7850DP-T1-GE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SI7850DP-T1-GE3
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 新型低热阻功率 PA 封装， 高度仅 1.07 mm。 针对快速开关进行 PWM 优化。 100% Rg 测试。 应用：24 V DC/DC 应用的初级侧开关。 次级同步整流器
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
库存
266
货期
现货
SI7850DP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 266 |
SI7850DP-T1-GE3概述
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 新型低热阻功率 PA 封装， 高度仅 1.07 mm。 针对快速开关进行 PWM 优化。 100% Rg 测试。 应用：24 V DC/DC 应用的初级侧开关。 次级同步整流器
SI7850DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI7850DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。